MOSFET

河北小漫电子商务有限公司为HXY MOSFET(华轩阳电子) AO3400-HXY 场效应管(MOSFET)的代理商，授权经销华轩阳全系列产品，欢迎前来咨询。

河北小漫电子经销HUASHUO(华朔) AO3415 场效应管(MOSFET)等全系列产品，若有任何任何产品和样品需求，请与小漫取得联系。

河北小漫电子经销HUASHUO(华朔) HSH6117 场效应管(MOSFET) 等全系列产品，若有任何任何产品和样品需求，请与小漫取得联系。

U4316 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高端和低端参考输出通道，适用于三相应用。专有的 HVIC 技术可实现坚固耐用的整体结构。逻辑输入与 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3 V 逻辑。

EG3001是一款单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、SD快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率MOSFET管驱动器。

河北小漫电子商务有限公司经销GOFORD(谷峰)沟槽MOSFET、平面Mosfet、Multi-epi SJ mos、碳化硅MOSFET等，若有任何产品和样品需求，欢迎联系！

该产品是一款单 N 型 MOSFET，具有最大漏电压为600V和额定电流为90A的特性。采用了SJ_Multi-EPI技术，具有优异的性能和稳定性，适用于工业电机驱动、电力变换、高性能电源和高压直流输电等领域的各种模块设计和制造。VGS=10V时，导通电阻为24mΩ。

VBsemi的VBP16R67S是一款高性能的单N型功率MOSFET，具有优异的电性能和稳定性。该器件采用SJ_Multi-EPI技术制造，可靠性高，适用于各种工业和汽车应用。

VBC1307是一款单路N沟道MOSFET，适用于低压高电流的电子电路设计。具有30V的最大漏极-源极电压（VDS）、10A的最大漏极电流（ID）和低漏极-源极电阻（RDS(on)）。采用沟道技术制造，封装为TSSOP8，适用于各种电子设备的功率控制和开关应用。

FM65R1K0N该系列MOSFET采用最新一代的超结工艺，并对各项参数进行优化设计，使产品兼具低导通阻抗和低门极电荷，满足消费类和工业类开关电源的技术要求， 广泛应用于反激，正激，PF LLC等电路拓扑。