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VBsemi VBN165R04是一款Single N场效应管，属于VBsemi品牌产品系列。该产品具有高性能和稳定性，适用于各种电力控制和调节应用。采用Plannar技术制造，具有650V的漏极-源极电压（VDS），并在正负30V的门极-源极电压（VGS）下工作。该产品封装采用TO262，适用于需要承受高电压和电流的环境。

VBsemi的VBP16R67S是一款高性能的单N型功率MOSFET，具有优异的电性能和稳定性。该器件采用SJ_Multi-EPI技术制造，可靠性高，适用于各种工业和汽车应用。

VBC1307是一款单路N沟道MOSFET，适用于低压高电流的电子电路设计。具有30V的最大漏极-源极电压（VDS）、10A的最大漏极电流（ID）和低漏极-源极电阻（RDS(on)）。采用沟道技术制造，封装为TSSOP8，适用于各种电子设备的功率控制和开关应用。

产品：场效应管中低压mos（12V~250V）、高压mos（300V~1000V）、超结mos（500V~900V）功率场效应管（MOSFET）等。