场效应管

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河北小漫电子商务有限公司经销GOFORD(谷峰)沟槽MOSFET、平面Mosfet、Multi-epi SJ mos、碳化硅MOSFET等，若有任何产品和样品需求，欢迎联系！

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VBsemi VBN165R04是一款Single N场效应管，属于VBsemi品牌产品系列。该产品具有高性能和稳定性，适用于各种电力控制和调节应用。采用Plannar技术制造，具有650V的漏极-源极电压（VDS），并在正负30V的门极-源极电压（VGS）下工作。该产品封装采用TO262，适用于需要承受高电压和电流的环境。

VBsemi的VBP16R67S是一款高性能的单N型功率MOSFET，具有优异的电性能和稳定性。该器件采用SJ_Multi-EPI技术制造，可靠性高，适用于各种工业和汽车应用。

VBGL71203 是一款单极性 N 型场效应管，具有120V 的漏极-源极电压 (VDS)，20V 的栅极-源极电压 (VGS)，以及3V 的阈值电压 (Vth)。在栅极-源极电压为10V 时，其导通电阻为2.8mΩ，最大漏极电流 (ID) 为190A。采用 SGT 技术，封装为 TO263-7L。