华轩阳电子专注为数码产品、消费类电器、5G通信、汽车新能源、医疗设备等领域客户提供高性能功率器件解决方案。我们致力于为中国芯片崛起而努力,提供可靠、经济实惠的产品,助力客户实现本土器件替代进口的目标。 产品范围涵盖:MOSFET、ESD、LDO、二极管、三极管、IGBT以及电源芯片等多种功率器件。特别推荐我们的碳化硅MOSFET和碳化硅二极管,具备卓越的性能和可靠性,适用于多个领域的高要求应用。 我们拥有超过10年研发经验的技术团队,不断创新提升产品质量,确保满足客户的需求。我们采用ISO质量管理体系,以确保产品达到最高标准。我们深知客户的独特需求,致力于建立长期合作关系。提供忠诚可靠的服务,为客户提供定制化解决方案,以满足其特定应用的需求。
AO3400-HXY参数:
属性 | 参数值 |
产品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 5.8A |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@10V,5.8A |
功率(Pd) | 1.4W |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA |
输入电容(Ciss@Vds) | 825pF@15V |