华朔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件公司。
公司秉持发展新科技，制造新产品，设置创新的解决方案。已经具备中压，低压全系列Power Mosfet分立器件，以及特殊制程的IC Design in House。产品广泛应用于计算机，汽车电子，工业电子，消费类电子，通讯电源，锂电等新能源产业。
HSU70P06参数：
| 属性 | 参数值 |
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 类型 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 70A |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5mΩ@10V,20A |
| 功率(Pd) | 135W |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 140nC@10V |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 8.635nF@25V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 291pF@25V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
