EG2108 芯片EG(屹晶微)

EG2108 是一款高性价比的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。

EG2108 高端的工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V～20V。该芯片输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。

特性
应用领域
引脚
结构框图
典型应用电路
应用设计
封装尺寸

◼高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V

◼ 适应 5V、3.3V 输入电压

◼ 最高频率支持 500KHZ

◼ VCC 和 VB 端电源带欠压保护

◼ 低端 VCC 电压范围 10V-20V

◼ 输出电流能力 IO+/- 0.3 A/0.6A

◼ 内建死区控制电路

◼ HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出

◼ LIN 输入通道高电平有效，控制低端 LO 输出

◼ 外围器件少

◼ 封装形式：SOP-8

◼ 移动电源高压快充开关电源

◼ 无线充电驱动器变频水泵控制器

◼ DC-DC 电源

◼ 无刷电机驱动器

引脚定义

引脚描述

Vcc 端电源电压
针对不同的 MOS 管，选择不同的驱动电压，芯片电源电压范围 10V-20V。

输入逻辑信号要求和输出驱动器特性
EG2108 主要功能有逻辑信号输入处理、死区时间控制、电平转换功能、悬浮自举电源结构和上下
桥图腾柱式输出。逻辑信号输入端高电平阀值为 2.5V 以上，低电平阀值为 1.0V 以下，要求逻辑信号的输出电流小，可以使 MCU 输出逻辑信号连接连接到 EG2108 的输入通道上。高端上桥臂和低端下桥臂输出驱动器的最大灌入可达 0.6A和最大输出电流可达 0.3A, 高端上桥臂通道可以承受 600V 的电压，输入逻辑信号与输出控制信号之间的传导延时小，低端输出开通传导延时为200nS、关断传导延时为 200nS,高端输出开通传导延时为 200nS、关断传导延时为 200nS。低端输出开通的上升时间为 70nS、关断的下降时间为 35nS, 高端输出开通的上升时间为 70nS、关断的下降时间为 35nS。输入信号和输出信号逻辑功能图如下图：

从真值表可知，当输入逻辑信号 HIN 为“1”和 LIN 为“0”时，驱动器控制输出 HO 为“1”上管打开，LO 为“0”下管关断；当输入逻辑信号 HIN 为“0” 和 LIN 为“1”时，驱动器控制输出 HO 为“0”上管关断，LO 为“1”下管打开；在输入逻辑信号 HIN 和 LIN 同时为“1”或者 HIN 和 LIN 同时为“0”时，驱动器控制输出 HO、LO 为“0”将上、下功率管同时关断；内部逻辑处理器杜绝控制器输出上、下功率管同时导通，具有相互闭锁功能。

自举电路

EG2108 采用自举悬浮驱动电源结构大大简化了驱动电源设计，只用一路电源电压 VCC 即可完成高端 N 沟道 MOS 管和低端 N 沟道 MOS 管两个功率开关器件的驱动，给实际应用带来极大的方便。EG2108可以使用外接一个自举二极管如图 8-3 和一个自举电容自动完成自举升压功能，假定在下管开通、上管关断期间 VC 自举电容已充到足够的电压（VC=VCC），当 HO 输出高电平时上管开通、下管关断时，VC 自举电容上的电压将等效一个电压源作为内部驱动器 VB 和 VS 的电源，完成高端 N 沟道 MOS 管的驱动。下图为自举电路结构图：